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二元高-k材料研究进展及制备

来源期刊：功能材料2002年第5期

论文作者：杨少延陈诺夫张志成柴春林林兰英刘志凯周剑平

关键词：高-k材料; 蒸发法; CVD; IBD;

摘要：随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.

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杨少延¹，陈诺夫¹，张志成¹，柴春林¹，林兰英¹，刘志凯¹，周剑平¹

(1.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083)

摘要:随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.

关键词:高-k材料; 蒸发法; CVD; IBD;

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