水热法制备SiNWs@MoS2核壳阵列结构
来源期刊：材料导报2014年第S2期
论文作者：贺小兰 廖明佳 揭芳芳 乔雷
文章页码：63 - 66
关键词：硅纳米线阵列;二硫化钼;核壳结构;水热法;
摘 要：通过水热法成功地对金属无电刻蚀法制备的硅纳米线进行了MoS2包覆,实现了硅纳米线@MoS2的核壳化。制得的硅纳米线@MoS2阵列的电化学反应电流密度较未修饰的硅纳米线阵列提升了近6倍,EIS结果显示硅纳米线@MoS2阵列的转移电荷电阻仅是硅纳米线阵列的1/2。SiNWs@MoS2阵列的制备为电学、光学、力学等方面的研究提供了新的平台。
贺小兰1，廖明佳1，揭芳芳1，乔雷2
1. 重庆化工职业学院化学工程系2. 重庆市环境科学研究院
摘 要：通过水热法成功地对金属无电刻蚀法制备的硅纳米线进行了MoS2包覆,实现了硅纳米线@MoS2的核壳化。制得的硅纳米线@MoS2阵列的电化学反应电流密度较未修饰的硅纳米线阵列提升了近6倍,EIS结果显示硅纳米线@MoS2阵列的转移电荷电阻仅是硅纳米线阵列的1/2。SiNWs@MoS2阵列的制备为电学、光学、力学等方面的研究提供了新的平台。
关键词：硅纳米线阵列;二硫化钼;核壳结构;水热法;
