掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第1期
论文作者：司文捷 刘人淼
关键词：氧化铝陶瓷; 介电损耗; 杂质; 掺杂;
摘 要：综述了不同杂质及掺杂对氧化铝陶瓷介电损耗影响的研究进展.原料中的杂质会增加氧化铝陶瓷的介电损耗,但可以通过掺杂来提高氧化铝陶瓷的介电损耗.MgO的加入在低频下会增加氧化铝陶瓷的介电损耗;但在微波频段,当MgO的加入量大于Mg在氧化铝中的固溶极限时,通过优化烧结工艺,可以得到1×10-5量级的介电损耗.加入适量的TiO2可以降低氧化铝在微波频段的损耗,但其作用机理还有待进一步研究.
司文捷1，刘人淼1
(1.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084)
摘要:综述了不同杂质及掺杂对氧化铝陶瓷介电损耗影响的研究进展.原料中的杂质会增加氧化铝陶瓷的介电损耗,但可以通过掺杂来提高氧化铝陶瓷的介电损耗.MgO的加入在低频下会增加氧化铝陶瓷的介电损耗;但在微波频段,当MgO的加入量大于Mg在氧化铝中的固溶极限时,通过优化烧结工艺,可以得到1×10-5量级的介电损耗.加入适量的TiO2可以降低氧化铝在微波频段的损耗,但其作用机理还有待进一步研究.
关键词:氧化铝陶瓷; 介电损耗; 杂质; 掺杂;
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