锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性
来源期刊：材料导报2007年第12期
论文作者：张亚萍 邱红梅 赵雪丹 赵凡 潘礼庆
关键词：氧化铜; 稀磁半导体; 铁磁性机理; 掺杂;
摘 要：采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品.X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长.通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变.薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中.通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1μB.这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合.
张亚萍1，邱红梅1，赵雪丹1，赵凡1，潘礼庆1
(1.北京科技大学物理系,北京,100083)
摘要:采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品.X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长.通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变.薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中.通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1μB.这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合.
关键词:氧化铜; 稀磁半导体; 铁磁性机理; 掺杂;
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