SiCsf/SiC-BN复合陶瓷的制备及抗氧化性能
来源期刊：材料工程2004年第7期
论文作者：宋成斌 石鹏远 贾德昌 周玉 杨治华
关键词：SiCsf/SiC-BN复合陶瓷; 氧化; SiC短纤维; 原位合成;
摘 要：制备了SiC短纤维增强原位合成的SiC-BN复合陶瓷(SiCsf/SiC-BN),对其氧化动力学进行了分析计算,并对不同成分的SiCsf/SiC-BN复合陶瓷在800～1200℃的氧化过程进行了研究.研究表明, Si3N4,B4C和C可以原位合成复合陶瓷的基体.复合陶瓷在高温发生氧化时,SiC和BN氧化产物主要为SiO2和B2O3,这两者互融形成的薄膜可以有效减缓复合陶瓷的氧化.
宋成斌1，石鹏远1，贾德昌1，周玉1，杨治华1
(1.哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨,150001)
摘要:制备了SiC短纤维增强原位合成的SiC-BN复合陶瓷(SiCsf/SiC-BN),对其氧化动力学进行了分析计算,并对不同成分的SiCsf/SiC-BN复合陶瓷在800～1200℃的氧化过程进行了研究.研究表明, Si3N4,B4C和C可以原位合成复合陶瓷的基体.复合陶瓷在高温发生氧化时,SiC和BN氧化产物主要为SiO2和B2O3,这两者互融形成的薄膜可以有效减缓复合陶瓷的氧化.
关键词:SiCsf/SiC-BN复合陶瓷; 氧化; SiC短纤维; 原位合成;
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