硫化对Cu-In预制膜微结构的影响

Zhu Jing-sen¹，FANG Ling¹，LI De-ren¹，周少雄¹，ZHAO Hai-hua¹，LIU Ying-chun¹，YAN You-hua¹，赵海花¹，LU Zhi-chao¹，李德仁¹，刘迎春¹，ZHOU Shao-xiong¹

(1.钢铁研究总院安泰科技股份有限公司,北京,100081)

摘要:采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学.采用扫描电子显微镜(SEM)和能潜仪(EDS)观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪(XRD)表征了薄膜的组织结构.结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300～340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿(112)面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层.

关键词:Cu-In预制膜; CuInS2薄膜; 硫源温度;

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