相分离Gd_5Ge_4合金的低温磁化行为及温度依赖性研究
来源期刊：功能材料2009年第11期
论文作者：陈镇平 张金仓 薛运才 曹世勋 张晓勇 苏玉玲
关键词：Gd_5Ge_4合金; 低温磁性; 相分离; 台阶式磁化跳跃; Gd_5Ge_4 alloy; low-temperature magnetic properties; phase separation; step magnetization;
摘 要：系统研究了Gd_5Ge_4合金的晶体结构和低温磁化行为.结果表明,Gd_5Ge_4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象.由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变.在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性.随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化.在温度50～60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性.
陈镇平1，张金仓1，薛运才1，曹世勋2，张晓勇2，苏玉玲1
(1.郑州轻工业学院,技术物理系,河南,郑州,450002;
2.上海大学,物理系,上海,200444)
摘要:系统研究了Gd_5Ge_4合金的晶体结构和低温磁化行为.结果表明,Gd_5Ge_4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象.由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变.在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性.随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化.在温度50～60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性.
关键词:Gd_5Ge_4合金; 低温磁性; 相分离; 台阶式磁化跳跃; Gd_5Ge_4 alloy; low-temperature magnetic properties; phase separation; step magnetization;
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