高频放电等离子体引发碳化硅表面接枝聚合甲基丙烯酸甲酯
来源期刊：材料科学与工艺2009年第1期
论文作者：韦刚 钟少锋 孟月东 舒兴胜
文章页码：105 - 109
关键词：等离子体;接枝聚合;纳米碳化硅;聚甲基丙烯酸甲酯;
摘 要：高频放电氮气等离子体表面处理纳米碳化硅粉体,进而在碳化硅表面上引发甲基丙烯酸甲酯单体接枝聚合,在纳米碳化硅表面形成一层保护膜.红外(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)以及热失重分析(TGA)测试表明该聚合膜是通过化学键连接在碳化硅表面的,X射线衍射光谱(XRD)表明经等离子体处理改性的碳化硅粉体只是其表面性质发生了改变,其晶体结构并没有发生任何变化.
韦刚1，钟少锋1,2，孟月东1，舒兴胜1
1. 中科院等离子体物理研究所2. 中科院光电研究院
摘 要：高频放电氮气等离子体表面处理纳米碳化硅粉体,进而在碳化硅表面上引发甲基丙烯酸甲酯单体接枝聚合,在纳米碳化硅表面形成一层保护膜.红外(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)以及热失重分析(TGA)测试表明该聚合膜是通过化学键连接在碳化硅表面的,X射线衍射光谱(XRD)表明经等离子体处理改性的碳化硅粉体只是其表面性质发生了改变,其晶体结构并没有发生任何变化.
关键词：等离子体;接枝聚合;纳米碳化硅;聚甲基丙烯酸甲酯;
