真空度对碳纳米管生长过程的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第4期
论文作者：徐幸梓 王必本 刘天模 张兵
关键词：准直碳纳米管; 辉光放电; 真空度;
摘 要：利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构,结果表明真空度对其生长和结构有较大的影响.当真空度为4000Pa和2000Pa时,准直碳纳米管较容易生长,并且真空度为2000Pa时生长的碳纳米管平均长度大于真空度为4000Pa时碳纳米管的平均长度.但真空度为667Pa时碳纳米管生长困难.根据热力学和辉光放电理论,分析了真空度对准直碳纳米管生长和结构的影响.
徐幸梓1，王必本2，刘天模1，张兵2
(1.重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044;
2.北京工业大学应用数理学院,北京,100022)
摘要:利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构,结果表明真空度对其生长和结构有较大的影响.当真空度为4000Pa和2000Pa时,准直碳纳米管较容易生长,并且真空度为2000Pa时生长的碳纳米管平均长度大于真空度为4000Pa时碳纳米管的平均长度.但真空度为667Pa时碳纳米管生长困难.根据热力学和辉光放电理论,分析了真空度对准直碳纳米管生长和结构的影响.
关键词:准直碳纳米管; 辉光放电; 真空度;
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