溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究
来源期刊：功能材料2008年第5期
论文作者：杨瑞东 孔令德 邓荣斌 陈寒娴 杨宇 王茺
关键词：Si/Ge多层膜; 可见光致发光; 离子束溅射;
摘 要：采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.
杨瑞东1，孔令德2，邓荣斌2，陈寒娴2，杨宇2，王茺2
(1.红河学院,物理系,云南,蒙自,661100;
2.云南大学,工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心,云南,昆明,650091)
摘要:采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.
关键词:Si/Ge多层膜; 可见光致发光; 离子束溅射;
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