简介概要

近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真

来源期刊:材料导报2019年第20期

论文作者:陈豪 肖清泉 谢泉 王坤 史娇娜

文章页码:3358 - 3362

关键词:Mg2Si/Si异质结;光谱响应;暗电流密度;界面态密度;

摘    要:本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0. 6~1. 5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1. 11μm时,响应度最高达到0. 742 A·W-1,1. 31μm处响应度为0. 53 A·W-1。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10-6A·cm-2。Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×1011cm-2

详情信息展示

近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真

陈豪,肖清泉,谢泉,王坤,史娇娜

贵州大学大数据与信息工程学院

摘 要:本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0. 6~1. 5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1. 11μm时,响应度最高达到0. 742 A·W-1,1. 31μm处响应度为0. 53 A·W-1。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10-6A·cm-2。Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×1011cm-2

关键词:Mg2Si/Si异质结;光谱响应;暗电流密度;界面态密度;

<上一页 1 下一页 >

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号