低温化学气相沉积法制备SiC纳米粉体
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第5期
论文作者：李斌 齐共金 胡海峰 张长瑞
关键词：低温化学气相沉积; 碳化硅; 碳硅烷; 纳米粉体;
摘 要：合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析;采用化学气相沉积工艺,以自制的液态碳硅烷为先驱体,分别在850℃和900℃的较低温度下制得了SiC粉体,并对产物进行了IR、XRD和SEM分析.结果表明,850℃产物中含有未分解完全的有机基团,900℃产物为较纯的部分结晶的纳米SiC粉体,粒度为50～70nm.
李斌1，齐共金1，胡海峰1，张长瑞1
(1.国防科学技术大学航天与材料工程学院CFC重点实验室,长沙,410073)
摘要:合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析;采用化学气相沉积工艺,以自制的液态碳硅烷为先驱体,分别在850℃和900℃的较低温度下制得了SiC粉体,并对产物进行了IR、XRD和SEM分析.结果表明,850℃产物中含有未分解完全的有机基团,900℃产物为较纯的部分结晶的纳米SiC粉体,粒度为50～70nm.
关键词:低温化学气相沉积; 碳化硅; 碳硅烷; 纳米粉体;
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