白光LED用全色荧光粉BaMgSiO4∶Eu2+,Mn2+的光谱性质
来源期刊：材料导报2010年第22期
论文作者：李郎楷 陈永杰 肖林久 曹发斌 耿秀娟
文章页码：55 - 57
关键词：白光荧光粉;BaMgSiO4∶Eu2+,Mn2+;白光LED;
摘 要：采用高温固相法首次合成了由Eu2+和Mn2+共激活的硅酸镁钡BaMgSiO4全色荧光粉。BaMgSiO4的晶格结构中含有丰富的阳离子格位,有六配位的Ba（Ⅰ）、九配位的Ba（Ⅱ）和Ba（Ⅲ）以及四配位的Mg,为Eu2+和Mn2+提供了不同环境的占据格位。光谱测试显示BaMgSiO4∶Eu2+,Mn2+的发射光谱中有3个发射峰,分别是440nm、510nm、620nm,是合成白光较理想的三基色波带;激发光谱呈宽波带,在300420nm之间均有较强的吸收,能与紫光InGaN芯片匹配,适用于白光LED。
李郎楷1，陈永杰1，肖林久1，曹发斌1,2，耿秀娟1
1. 沈阳化工大学辽宁省稀土化学及应用重点实验室2. 东北大学材料与冶金学院
摘 要：采用高温固相法首次合成了由Eu2+和Mn2+共激活的硅酸镁钡BaMgSiO4全色荧光粉。BaMgSiO4的晶格结构中含有丰富的阳离子格位,有六配位的Ba（Ⅰ）、九配位的Ba（Ⅱ）和Ba（Ⅲ）以及四配位的Mg,为Eu2+和Mn2+提供了不同环境的占据格位。光谱测试显示BaMgSiO4∶Eu2+,Mn2+的发射光谱中有3个发射峰,分别是440nm、510nm、620nm,是合成白光较理想的三基色波带;激发光谱呈宽波带,在300420nm之间均有较强的吸收,能与紫光InGaN芯片匹配,适用于白光LED。
关键词：白光荧光粉;BaMgSiO4∶Eu2+,Mn2+;白光LED;
