CdSiP₂晶体退火及对红外光学性能的影响

来源期刊：稀有金属材料与工程2016年第10期

论文作者：林莉 赵北君 朱世富 何知宇 陈宝军 孙宁 黄巍 杨登辉 钟义凯 朱璞

文章页码：2723 - 2728

关键词：CdSiP2晶体;退火热处理;红外吸收系数;红外透射Mapping图像;红外透过均匀性;

摘    要：采用改进的布里奇曼法生长出CdSiP₂单晶体,运用X射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微镜等对在不同气氛中退火前后的CdSiP₂晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试,根据红外显微镜Mapping图像的标准差值评判了晶体的红外透过均匀性。研究结果表明,经真空、CdSiP₂粉末包裹、P/Cd（原子比为2:1）、Cd气氛等退火后,晶体组分元素的化学计量比、红外吸收系数和红外光学均匀性都得到了不同程度的改善,其中在1.29².00μm,经CdSiP₂粉末包裹退火后的晶体吸收系数改善显著,在1.92¹.98μm波段的红外透过均匀性提高了14.06%;而在Cd气氛下退火后晶体的吸收系数在2.00⁶.50μm波段降低最为明显,在2.70².78μm波段红外透过均匀性提高了17.43%。分析讨论了在上述波段中引起晶体红外吸收和红外透过不均匀性的主要因素,研究出较为有效的CdSiP₂晶体退火工艺。