化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析

王雪峰^1,2，叶小球¹，冯春蓉^1,2，谌晓洪²，杨蕊竹¹，饶咏初¹，李强¹，宋久鹏³，吴吉良¹

1. 表面物理与化学重点实验室2. 西华大学3. 厦门虹鹭钨铝工业有限公司

摘 要：利用不同升温速率的热脱附谱法（TDS）研究了化学气相沉积钨（CVD-W）经70 eV/D、1.3×10²⁵ D/m²的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在10¹⁹ D/m²量级;氘的脱附温度区间为400～800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV。

关键词：化学气相沉积钨（CVD-W）;氘滞留;等离子体辐照;热脱附谱(TDS);