Gd和Sn掺杂BaTiO3陶瓷的介电性能
来源期刊：功能材料2006年第9期
论文作者：葛永霞 常方高 荆西平 袁延忠 李涛
关键词：掺杂; 介电常数; 介电损耗; 居里点;
摘 要：通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究.结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加.其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092.
葛永霞1，常方高1，荆西平2，袁延忠1，李涛1
(1.河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;
2.北京大学,化学与分子工程学院,稀土化学与应用国家重点实验室,北京,100871)
摘要:通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究.结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加.其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092.
关键词:掺杂; 介电常数; 介电损耗; 居里点;
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