渗硅制备Mo-MOSi2梯度材料层的特性

张士宪¹，李智慧¹，李运刚²，梁精龙¹，马瑞新³，唐国章¹

(1.河北理工大学,河北,唐山,063009;
2.河北理工大学,冶金与能源学院,河北,唐山,063009;
3.北京科技大学,北京,100083)

摘要:以Mo为基体,利用KCl-NaCl-NaF-(SiO2)熔盐体系电沉积出的硅作为渗硅硅源,电沉积硅和在Mo基体上渗硅同时进行,制备Mo-MoSi2梯度材料.以实验结果和理论计算为依据,对梯度层的特性进行了分析.结果表明:梯度层硅含量呈3种不同的变化规律,在靠近试样表面部分,硅含量沿深度下降率较大,在梯度层中间部分,硅含量基本保持不变,在梯度层靠近Mo一侧.硅含量的下降率介于前两者之间;梯度层中,以Mo、Mo3Si、Mo5Si3 3种物质构成的厚度占整个梯度层的比重最大;梯度层沿Mo基体一侧向表面的物质组成变化规律为:Mo→Mo5Si3+Mo3Si+Mo→Mo5Si3+MoSi2→MoSi2,并且各物质所占的比重随硅含量的变化而变化.

关键词:Mo-MoSi2梯度材料; 特性; 物质组成;

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