低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响
来源期刊：金属学报2005年第10期
论文作者：华学明 三宅正司 李铸国 吴毅雄
关键词：TiN薄膜; 物理气相沉积(PVD); 择优取向; 离子照射;
摘 要：用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.
华学明1，三宅正司2，李铸国1，吴毅雄1
(1.上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200030;
2.近畿大学,大阪,5778502,日本)
摘要:用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.
关键词:TiN薄膜; 物理气相沉积(PVD); 择优取向; 离子照射;
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