不同纯度冶金级硅电导率随温度的变化

杨玺，吕国强，马文会，罗涛

昆明理工大学冶金与能源工程学院,真空冶金国家工程实验室,云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心

摘 要：在不同温度下,采用自主设计的测试设备测试了不同纯度和不同厚度的冶金级硅的电导率,分析了冶金级硅的纯度对电导率的影响。结果表明:采用厚度较薄的硅片进行电导率测试能更准确反映出电导率随温度的变化关系;当温度达到650℃以上时,本征激发作用明显,冶金级硅电导率开始迅速增大,并且纯度较高、金属杂质含量较少的硅电导率随温度的升高增幅较大;最后,根据测量出的电导率进行了数值拟合,得到了冶金级硅电导率随温度变化的数学表达式。

关键词：冶金级硅;电导率;温度变化;金属杂质;