掺杂SnO2对NiFe2O4陶瓷电导率的影响
来源期刊：矿产保护与利用2004年第5期
论文作者：段华南 赖延清 孙小刚 张刚 田忠良
关键词：电导率; 掺杂SnO2; NiFe2O4陶瓷; 惰性阳极;
摘 要：采用冷压-烧结粉末冶金技术制备了NiFe2O4陶瓷,并对其进行SnO2掺杂.对光谱纯石墨和所制备的试样进行的不同温度下电导率测试研究表明:用直流四端电极法改进的高温电导率测试仪测定结果重现性和准确性良好;NiFe2O4陶瓷材料的导电性能随着温度升高而提高,且呈现半导体材料特性;掺杂少量SnO2有利于降低材料的活化能,提高其电导率,而不影响陶瓷基体材料的半导体特性.
段华南1，赖延清1，孙小刚1，张刚1，田忠良1
(1.中南大学冶金科学与工程学院,湖南长沙,410083)
摘要:采用冷压-烧结粉末冶金技术制备了NiFe2O4陶瓷,并对其进行SnO2掺杂.对光谱纯石墨和所制备的试样进行的不同温度下电导率测试研究表明:用直流四端电极法改进的高温电导率测试仪测定结果重现性和准确性良好;NiFe2O4陶瓷材料的导电性能随着温度升高而提高,且呈现半导体材料特性;掺杂少量SnO2有利于降低材料的活化能,提高其电导率,而不影响陶瓷基体材料的半导体特性.
关键词:电导率; 掺杂SnO2; NiFe2O4陶瓷; 惰性阳极;
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