铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能

来源期刊：无机材料学报2016年第4期

论文作者：刘畅 苑帅 张海良 曹丙强 吴莉莉 尹龙卫

文章页码：358 - 364

关键词：碘化亚铜;铜膜碘化法;透明导电;反型钙钛矿太阳能电池;

摘    要：γ相碘化亚铜（γ-Cu I）是一种带隙为3.1 e V的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的铜膜碘化法制备了Cu I薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响。在最优碘化时间（30 min）和碘化温度（120℃）下,制备出了高透过率（可见光范围>75%）、导电性能好（电阻率4.4×10-2?·cm）的Cu I薄膜。利用Cu I薄膜作为空穴传输层,组装了Cu I/CH3NH3Pb I3/PCBM反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为8.35%,讨论了Cu I薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理。