Si表面吸附GaN的第一性原理研究
来源期刊：材料导报2009年第16期
论文作者：陈俊芳 王腾 李炜 张洪宾 郭超峰
关键词：Si; GaN; 吸附; 第一性原理;
摘 要：为了更好地了解Si表面对CaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图.计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜.采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构.
陈俊芳1，王腾2，李炜1，张洪宾1，郭超峰1
(1.华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510631;
2.华南师范大学计算机学院,广州,510631)
摘要:为了更好地了解Si表面对CaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图.计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜.采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构.
关键词:Si; GaN; 吸附; 第一性原理;
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