高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第3期
论文作者：杨文伟 林梓鑫 邢玉梅 宋朝瑞 俞跃辉
关键词：碳化硅; 离子束合成; 埋层;
摘 要：采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系.
杨文伟1，林梓鑫1，邢玉梅1，宋朝瑞1，俞跃辉1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系.
关键词:碳化硅; 离子束合成; 埋层;
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