离子注入改性聚对苯乙炔的光学及电学性能
来源期刊：高分子材料科学与工程2005年第5期
论文作者：李宝铭 刘效增 吴洪才 孙建平 高潮
关键词：离子注入; 聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔; 表面电导率; 光学禁带宽度;
摘 要：利用脱氯化氢反应制备π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔 (MMB-PPV).采用能量为15 keV～35 keV,剂量为3.8×1015ions/cm2～9.6×1016ions/cm2的低能氮离子(N+)对MMB-PPV薄膜进行离子注入改性研究.红外光谱显示,离子注入后分子的特征峰未发生显著变化,而在3442 cm-1、1622 cm-1等处出现N-H键的振动峰;随着注入能量、剂量的增加,薄膜的紫外-可见吸收边向长波方向移动,π共轭高分子中激发态和基态间的光学禁带宽度变窄;薄膜的表面电导率随着注入能量、剂量的增加迅速提高,当注入能量为35 keV,剂量为9.6×1016ions/cm2时,表面电导率高达3.2×10-2S/cm,比本征态提高7个数量级以上.
李宝铭1，刘效增1，吴洪才1，孙建平1，高潮1
(1.西安交通大学电信学院光电技术与太阳能研究所,陕西,西安,710049)
摘要:利用脱氯化氢反应制备π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔 (MMB-PPV).采用能量为15 keV～35 keV,剂量为3.8×1015ions/cm2～9.6×1016ions/cm2的低能氮离子(N+)对MMB-PPV薄膜进行离子注入改性研究.红外光谱显示,离子注入后分子的特征峰未发生显著变化,而在3442 cm-1、1622 cm-1等处出现N-H键的振动峰;随着注入能量、剂量的增加,薄膜的紫外-可见吸收边向长波方向移动,π共轭高分子中激发态和基态间的光学禁带宽度变窄;薄膜的表面电导率随着注入能量、剂量的增加迅速提高,当注入能量为35 keV,剂量为9.6×1016ions/cm2时,表面电导率高达3.2×10-2S/cm,比本征态提高7个数量级以上.
关键词:离子注入; 聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基]对苯乙炔; 表面电导率; 光学禁带宽度;
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