GaN基热氧化物的XPS和椭偏光谱研究
来源期刊：材料导报2009年第22期
论文作者：杨谟华 于奇 杜江锋 赵金霞
关键词：GaN; 热氧化; Ga_2O_3; XPS; SE; CaN; thermal oxidation; Ga_2O_3; XPS; SE;
摘 要：采用X射线光谱R(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究.当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga_2O_3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2.SE测试结果表明,GaN线性氧化速率约为40nm/h,呈抛物线生长,最终平均氧化速率约为25nm/h.在300～800nm测试范围内,Ga_2O_3折射率为1.9～2.2,与文献测试结果相符.但在300～400nm测试范围内存在反常色散现象,这与GaN在此波段的强吸收有关.
杨谟华1，于奇1，杜江锋1，赵金霞1
(1.电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)
摘要:采用X射线光谱R(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究.当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga_2O_3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2.SE测试结果表明,GaN线性氧化速率约为40nm/h,呈抛物线生长,最终平均氧化速率约为25nm/h.在300～800nm测试范围内,Ga_2O_3折射率为1.9～2.2,与文献测试结果相符.但在300～400nm测试范围内存在反常色散现象,这与GaN在此波段的强吸收有关.
关键词:GaN; 热氧化; Ga_2O_3; XPS; SE; CaN; thermal oxidation; Ga_2O_3; XPS; SE;
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