磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第7期
论文作者：庄惠照 石礼伟 李玉国 薛成山 王强
关键词：磁控共溅射; SiC纳米颗粒; 微观结构; 光致发光;
摘 要：采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.
庄惠照1，石礼伟1，李玉国1，薛成山1，王强1
(1.山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.
关键词:磁控共溅射; SiC纳米颗粒; 微观结构; 光致发光;
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