硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析
来源期刊：有色金属2004年第3期
论文作者：王淀佐 李宏煦
关键词：冶金物理化学; 硫化矿; 半导体溶液界面; 浸出; 氧化机理; 电化学;
摘 要：许多硫化矿物为半导体,硫化矿氧化浸出过程实际是-半导体-溶液界面电子或空穴转移的过程.基于传统的半导体界面氧化理论,系统分析细菌存在时硫化矿-溶液界面电子或空穴转移步骤,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体-溶液界面电子及空穴转移模型,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理.
王淀佐1，李宏煦1
(1.北京有色金属研究总院,北京,100088)
摘要:许多硫化矿物为半导体,硫化矿氧化浸出过程实际是-半导体-溶液界面电子或空穴转移的过程.基于传统的半导体界面氧化理论,系统分析细菌存在时硫化矿-溶液界面电子或空穴转移步骤,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体-溶液界面电子及空穴转移模型,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理.
关键词:冶金物理化学; 硫化矿; 半导体溶液界面; 浸出; 氧化机理; 电化学;
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