铌掺杂氧化锡陶瓷的电阻负温度系数特性
来源期刊：材料导报2009年第12期
论文作者：刘兰兰 彭斌 张鸿 李志成 王健
关键词：氧化锡; 掺杂; 导电性; 负温度系数效应;
摘 要：利用共沉淀方法合成了Nb掺杂SnO2材料,通过X射线衍射分析了材料的相组成,利用电阻-温度特性测试仪研究了材料的电阻温度特性,并利用半导体热力学理论分析了材料的NTC机理.结果表明,600℃煅烧能获得高纯的四方结晶相掺杂SnO2,粉体晶粒平均尺寸为10.5nm;Nb掺杂SnO2体现出良好的电阻负温度系数(NTC)效应,材料常数为3662K.
刘兰兰1，彭斌1，张鸿1，李志成1，王健1
(1.中南大学材料科学与工程学院,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083)
摘要:利用共沉淀方法合成了Nb掺杂SnO2材料,通过X射线衍射分析了材料的相组成,利用电阻-温度特性测试仪研究了材料的电阻温度特性,并利用半导体热力学理论分析了材料的NTC机理.结果表明,600℃煅烧能获得高纯的四方结晶相掺杂SnO2,粉体晶粒平均尺寸为10.5nm;Nb掺杂SnO2体现出良好的电阻负温度系数(NTC)效应,材料常数为3662K.
关键词:氧化锡; 掺杂; 导电性; 负温度系数效应;
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