溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响
来源期刊：无机材料学报2000年第4期
论文作者：胡行方 宋力昕 彭晓峰 江伟辉 肖兴成
关键词：SiCN薄膜; 磁控溅射; FTIR; 光学带隙; SiCN films; RF magnetron sputtering; FTIR; optical band gap;
摘 要：本文利用射频磁控溅射工艺制备了SiCN薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、N分压对薄膜沉积和光学性能的影响. 研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Si、C和N两两之间形成了共价键. N分压的提高降低了薄膜的沉积速率. N流量的提高使光学带隙增大. 溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高，但使得光学带隙减小
胡行方1，宋力昕1，彭晓峰1，江伟辉1，肖兴成1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050)
摘要:本文利用射频磁控溅射工艺制备了SiCN薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、N分压对薄膜沉积和光学性能的影响. 研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Si、C和N两两之间形成了共价键. N分压的提高降低了薄膜的沉积速率. N流量的提高使光学带隙增大. 溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高，但使得光学带隙减小
关键词:SiCN薄膜; 磁控溅射; FTIR; 光学带隙; SiCN films; RF magnetron sputtering; FTIR; optical band gap;
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