N2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响
来源期刊：稀有金属2005年第6期
论文作者：王敬 周旗钢 冯泉林 刘佐星 刘斌
关键词：硅抛光片; 洁净区; 氧沉淀; 内吸杂; 原子力显微镜; 微粗糙度;
摘 要：快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响.发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度.使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化.发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加.
王敬1，周旗钢1，冯泉林1，刘佐星1，刘斌1
(1.北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京,100088)
摘要:快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响.发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度.使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化.发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加.
关键词:硅抛光片; 洁净区; 氧沉淀; 内吸杂; 原子力显微镜; 微粗糙度;
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