离子注入法制备N掺杂p型ZnO薄膜
来源期刊：材料导报2008年第6期
论文作者：秦国平 朱仁江 方亮 王楠 戴特力 孔春阳
关键词：氧化锌薄膜; p型; 离子注入; 制备;
摘 要：采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.
秦国平1，朱仁江1，方亮2，王楠1，戴特力1，孔春阳1
(1.重庆师范大学光学工程实验室,重庆,400047;
2.重庆大学数理学院,重庆,400030)
摘要:采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.
关键词:氧化锌薄膜; p型; 离子注入; 制备;
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