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直流偏置电流对钴基非晶带环形磁芯巨磁阻抗效应的影响

来源期刊:金属功能材料2005年第5期

论文作者:鲍丙豪 赵湛

关键词:钴基非晶薄带环形磁芯; 直流偏置电流; 巨磁阻抗效应;

摘    要:将近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应.激励电流频率f>100kHz时,阻抗随圆周磁场的变化呈现对称双峰曲线;最大阻抗变化率(GMI)max随频率的升高而增大,当频率f=2MHz,幅值Ip=10mA时,(GMI)max=57%.直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.偏置电流较小时,阻抗变化曲线的一边峰值得到加强,另一边峰值减弱;偏置电流较大时,两峰值都被削弱.阻抗变化的不对称性与激励电流的频率和直流偏置电流大小有紧密联系.

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直流偏置电流对钴基非晶带环形磁芯巨磁阻抗效应的影响

鲍丙豪1,赵湛2

(1.江苏大学微纳米科学与技术研究中心,江苏,镇江,212013;
2.江苏大学测控技术研究所,江苏,镇江,212013)

摘要:将近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应.激励电流频率f>100kHz时,阻抗随圆周磁场的变化呈现对称双峰曲线;最大阻抗变化率(GMI)max随频率的升高而增大,当频率f=2MHz,幅值Ip=10mA时,(GMI)max=57%.直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.偏置电流较小时,阻抗变化曲线的一边峰值得到加强,另一边峰值减弱;偏置电流较大时,两峰值都被削弱.阻抗变化的不对称性与激励电流的频率和直流偏置电流大小有紧密联系.

关键词:钴基非晶薄带环形磁芯; 直流偏置电流; 巨磁阻抗效应;

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