衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响
来源期刊：无机材料学报2006年第4期
论文作者：张国斌 徐彭寿 刘忠良 邹崇文 孙柏
关键词：ZnO; 脉冲激光淀积; 光致发光; 同步辐射;
摘 要：在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征.同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性.实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射.在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni).
张国斌1，徐彭寿1，刘忠良1，邹崇文1，孙柏1
(1.中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029)
摘要:在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征.同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性.实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射.在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni).
关键词:ZnO; 脉冲激光淀积; 光致发光; 同步辐射;
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