三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究

刘旭焱^1,2，宋三年²，刘卫丽²，宋志棠²

1. 南阳师范学院物理与电子工程学院2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室

摘 要：结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列。经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级。不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决。

关键词：三维集成电路;相变存储器;等离子活化键合;智能剥离;