面心立方结构TaN_δ薄膜功率电阻研究

来源期刊：磁性材料及器件2010年第5期

论文作者：代波 倪经

文章页码：37 - 40

关键词：功率电阻;TaN薄膜;承受功率;

摘    要：TaN薄膜电阻由于具有高的微波承受功率、低的电阻温度系数以及良好的化学稳定性,是目前常用的功率电阻。在Ar/N2混合气氛下,利用直流反应溅射制备了面心立方结构的TaN薄膜功率电阻。实验发现,当Ta/N原子比在0.9¹.2之间时,可以形成比较好的面心立方结构TaN。其电阻温度系数约为-1.86‰/°C,对于6mm（长）×0.3mm（宽）×0.25μm（厚）的薄膜电阻,微波承受功率超过3W,而Ta薄膜电阻承受微波功率小于2W。