V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年增刊第1期
论文作者：高峰 田长生 王卫民 赵鸣 张慧君
关键词：ZnO-V2O5压敏电阻; 二次合成法; 低温烧结;
摘 要：基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度＞98%、非线性系数＞50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.
高峰1，田长生1，王卫民1，赵鸣1，张慧君1
(1.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;
2.内蒙古科技大学材料与冶金科学工程学院,内蒙古,包头,014010)
摘要:基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度＞98%、非线性系数＞50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.
关键词:ZnO-V2O5压敏电阻; 二次合成法; 低温烧结;
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