以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜
来源期刊：功能材料2004年第5期
论文作者：魏俊红 林揆训 姚若河 余楚迎 王照奎 林璇英 黄锐 黄文勇 余云鹏
关键词：多晶硅薄膜; SiCl4; 生长速率; 晶化度;
摘 要：报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.
魏俊红1，林揆训1，姚若河2，余楚迎1，王照奎1，林璇英1，黄锐1，黄文勇3，余云鹏1
(1.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063;
2.华南理工大学,应用物理系,广东,广州,510641;
3.广东韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041)
摘要:报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.
关键词:多晶硅薄膜; SiCl4; 生长速率; 晶化度;
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