新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第1期
论文作者：陆大成 李昱峰 陆沅 刘祥林 朱勤生 韩培德 陈振 孙学浩 黎大兵 曲宝壮 王晓晖 王占国
关键词：量子点; MOCVD; 共振隧穿; InGaN/GaN;
摘 要：利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.
陆大成1，李昱峰1，陆沅1，刘祥林1，朱勤生1，韩培德1，陈振1，孙学浩1，黎大兵1，曲宝壮1，王晓晖1，王占国1
(1.中国科学院半导体所材料开放实验室,北京,100083)
摘要:利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.
关键词:量子点; MOCVD; 共振隧穿; InGaN/GaN;
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