中频反应磁控溅射制备Al2O3:CeCl3薄膜及其光致发光特性
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第4期
论文作者：闫绍峰 骆红 巴德纯 廖国进 闻立时
关键词：光致发光; Al2O3; 薄膜; 磁控溅射:CeCl3;
摘 要：应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.
闫绍峰1，骆红2，巴德纯3，廖国进1，闻立时4
(1.辽宁工业大学,辽宁,锦州,121001;
2.中石油东北炼化工程有限公司锦州设计院,辽宁,锦州,121001;
3.东北大学,辽宁,沈阳,110004;
4.中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016)
摘要:应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.
关键词:光致发光; Al2O3; 薄膜; 磁控溅射:CeCl3;
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