填料法制备SiC_f/SiC复合材料的力学性能和高温介电性能
来源期刊:航空材料学报2018年第3期
论文作者:穆阳 邓佳欣 李皓 周万城
文章页码:31 - 39
关键词:SiC_f/SiC复合材料;PIP法;SiO2填料;力学性能;高温介电性能;
摘 要:为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiCf/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响。结果表明:随着SiO2含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiCf/SiC复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达275 MPa;低介电常数SiO2填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15%SiO2含量的复合材料厚度为3.24.0 mm时,室温反射率在整个X波段均达到–8 d B以下;复合材料的复介电常数随着温度的升高逐渐增大,而SiO2能显著降低高温复介电常数及其增幅,700℃时15%SiO2含量复合材料在2.73.0 mm厚度范围具有优异的吸波性能。
穆阳1,邓佳欣1,李皓1,周万城2
1. 中国飞行试验研究院航电所2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室
摘 要:为获得性能优异的耐高温结构吸波材料,以纳米SiO2颗粒为填料,采用有机先驱体浸渍裂解法(precursor infiltration and pyrolysis,PIP)制备SiCf/SiC复合材料,研究填料对复合材料力学性能和高温介电性能的影响。结果表明:随着SiO2含量从3%(质量分数,下同)增加至15%,SiCf/SiC复合材料的弯曲强度先增加后减小,最高可达275 MPa;低介电常数SiO2填料的引入使得复合材料的复介电常数逐渐减小,室温吸波性能得到有效改善,15%SiO2含量的复合材料厚度为3.24.0 mm时,室温反射率在整个X波段均达到–8 d B以下;复合材料的复介电常数随着温度的升高逐渐增大,而SiO2能显著降低高温复介电常数及其增幅,700℃时15%SiO2含量复合材料在2.73.0 mm厚度范围具有优异的吸波性能。
关键词:SiC_f/SiC复合材料;PIP法;SiO2填料;力学性能;高温介电性能;