非均相沉淀制备Cu包裹纳米SiC复合粉体颗粒
来源期刊：无机材料学报2003年第3期
论文作者：高濂 张锐 郭景坤
关键词：包裹; Cu; SiC; 非均相沉淀;
摘 要：选用工业生产的立方相SiC纳米颗粒,尺寸约120nm.利用置换反应原理制得纳米Cu微晶.采用非均相沉淀方法将Cu包裹到纳米SiC颗粒表面,形成相分布均匀的复合颗粒.纳米Cu微晶吸附在SiC颗粒周围形成粗糙表面.复合粉体颗粒表面被一层连续、致密的Cu2O层所包覆.Cu2O的存在是纳米Cu微晶颗粒自发氧化的结果.
高濂1，张锐1，郭景坤1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;
2.郑州大学材料工程学院,河南,450002)
摘要:选用工业生产的立方相SiC纳米颗粒,尺寸约120nm.利用置换反应原理制得纳米Cu微晶.采用非均相沉淀方法将Cu包裹到纳米SiC颗粒表面,形成相分布均匀的复合颗粒.纳米Cu微晶吸附在SiC颗粒周围形成粗糙表面.复合粉体颗粒表面被一层连续、致密的Cu2O层所包覆.Cu2O的存在是纳米Cu微晶颗粒自发氧化的结果.
关键词:包裹; Cu; SiC; 非均相沉淀;
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