原位合成NiO催化硅粉氮化制备氮化硅

来源期刊：机械工程材料2016年第6期

论文作者：古亚军 张海军 李发亮 张少伟

文章页码：65 - 68

关键词：硅粉;Si3N4;催化氮化;NiO;

摘    要：采用化学沉淀方法在硅粉表面沉淀了Ni（OH）₂,利用其原位合成NiO来催化硅粉氮化制备Si₃N₄粉,研究了原位合成NiO含量（质量分数为0².0%）和氮化温度对硅粉氮化的影响。结果表明:原位合成的NiO可以促进硅粉的氮化,随着NiO含量的增加,硅粉的氮化率呈先增后减的变化趋势;随着氮化温度的升高,硅粉氮化率逐渐提高,当温度升高到1 400℃、NiO质量分数为1.0%时硅粉全部氮化;制备的Si₃N₄呈晶须状,直径为65⁴97nm,其生长符合固-液-气-固（SLGS）生长机理。