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低剂量 SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究

来源期刊：功能材料与器件学报2001年第4期

论文作者：林梓鑫陈猛王曦陈静郑望

关键词：SOI; SIMOX; Secco; Cu-plating; 线缺陷;

摘要：用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .

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林梓鑫¹，陈猛¹，王曦¹，陈静¹，郑望¹

(1.中国科学院上海冶金研究所,)

摘要:用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .

关键词:SOI; SIMOX; Secco; Cu-plating; 线缺陷;

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