AlN/w-BN纳米多层膜的制备及其显微结构
来源期刊:机械工程材料2008年第10期
论文作者:喻利花 农尚斌 董师润 许俊华
文章页码:22 - 26
关键词:AlN/w-BN纳米多层膜;射频磁控溅射;显微结构;
摘 要:用射频磁控溅射法在硅基片上制备了AlN、BN单层膜及AlN/BN纳米多层膜,采用X射线衍射仪、傅立叶变换红外光谱仪、小角度X射线反射仪、高分辨率透射电子显微镜和原子力显微镜等对其进行了表征。结果表明:AlN/BN多层膜具有(103)择优取向,并且当AlN层厚固定时,随着BN层厚的增加,(103)择优取向得到强化;AlN单层膜及AlN/BN纳米多层膜均呈岛状生长,多层膜界面粗糙度及表面粗糙度均随着BN层厚的增加而减小;多层膜中BN的结构与BN的层厚有关,当AlN层厚保持在4.0 nm且BN层厚为0.320.55 nm时,可获得晶态w-BN,当BN层厚增至0.74 nm时,BN呈非晶态。
喻利花,农尚斌,董师润,许俊华
摘 要:用射频磁控溅射法在硅基片上制备了AlN、BN单层膜及AlN/BN纳米多层膜,采用X射线衍射仪、傅立叶变换红外光谱仪、小角度X射线反射仪、高分辨率透射电子显微镜和原子力显微镜等对其进行了表征。结果表明:AlN/BN多层膜具有(103)择优取向,并且当AlN层厚固定时,随着BN层厚的增加,(103)择优取向得到强化;AlN单层膜及AlN/BN纳米多层膜均呈岛状生长,多层膜界面粗糙度及表面粗糙度均随着BN层厚的增加而减小;多层膜中BN的结构与BN的层厚有关,当AlN层厚保持在4.0 nm且BN层厚为0.320.55 nm时,可获得晶态w-BN,当BN层厚增至0.74 nm时,BN呈非晶态。
关键词:AlN/w-BN纳米多层膜;射频磁控溅射;显微结构;