Nc-Si:H薄膜器件的研究
来源期刊:材料导报2004年第1期
论文作者:徐刚毅 张春熹 韦文生 王天民
关键词:nc-Si:H薄膜; 隧道二极管; 异质结二极管; 变容二极管; 太阳能电池; 单电子晶体管; 发光二极管;
摘 要:介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
徐刚毅1,张春熹2,韦文生3,王天民3
(1.中国科学院上海微系统与,信息技术研究所,上海,200050;
2.北京航空航天大学光电技术研究所,北京,100083;
3.北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京,100083)
摘要:介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
关键词:nc-Si:H薄膜; 隧道二极管; 异质结二极管; 变容二极管; 太阳能电池; 单电子晶体管; 发光二极管;
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