硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯

张繁¹，尹盛¹，赵伯芳¹，沈亮¹，王敬义¹，李战春¹

(1.华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074)

摘要:介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法.实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%.处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法.文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近.这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段.

关键词:粉粒表面刻蚀; 刻蚀提纯; 太阳级硅; 直流等离子体;

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