高k值HfO2栅介质材料电学特性的研究进展
来源期刊：材料导报2007年第1期
论文作者：范志东 田书凤 张弘 彭英才
关键词：高介电常数; HfO2栅介质; 等效SiO2介电层厚度; 电学特性;
摘 要：随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料.介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等.
范志东1，田书凤1，张弘1，彭英才1
(1.河北大学电子信息工程学院,保定,071002;
2.南京大学固体微结构物理实验室,南京,210093)
摘要:随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料.介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等.
关键词:高介电常数; HfO2栅介质; 等效SiO2介电层厚度; 电学特性;
【全文内容正在添加中】
