硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响
来源期刊：材料研究学报2006年第3期
论文作者：傅竹西 朱俊杰 苏剑峰 林碧霞 郑海务
关键词：无机非金属材料; LPMOCVD; 3C-SiC; p-Si(111)衬底;
摘 要：用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.
傅竹西1，朱俊杰1，苏剑峰1，林碧霞1，郑海务1
(1.中国科学技术大学物理系,合肥,230026)
摘要:用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.
关键词:无机非金属材料; LPMOCVD; 3C-SiC; p-Si(111)衬底;
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