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Ni-SiC电结晶沉积层的阻抗谱及SiC颗粒对Ni沉积的影响

来源期刊:材料保护2009年第5期

论文作者:崔航 谭澄宇 胡炜 刘宇

关键词:Ni-Sic镀层; 复合镀层; 共沉积; 电化学阻抗谱;

摘    要:前期研究发现,SiC颗粒在阴极有利于Ni结晶形核,为此研究了在电位-250~-1050 mV(vs SCE)下,Ni-SiC复合体系电沉积阻抗谱特征,利用扫描电镜(附能谱仪)观察了Ni-SiC体系复合沉积初期的表面形貌.结果表明:Ni-SiC体系Nyquist谱主要表现为一个压扁的容抗半圆,随着电位负移,Ni-SiC沉积的电化学阻抗值基本呈下降趋势.在电位-750~-1050 mV,Nyquist谱低频段还伴随一个感抗弧,Ni-SiC沉积的阻抗显著减小,反映Ni在铜基体上开始电结晶形核/生长;在低过电位(-250~-650 mV)下,Sic颗粒明显降低了Ni-Sic体系Ni沉积还原反应的电荷转移电阻;分析认为:Sic微粒在阴极表面上对镍的中间产物生成起到了活化作用.

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Ni-SiC电结晶沉积层的阻抗谱及SiC颗粒对Ni沉积的影响

崔航1,谭澄宇1,胡炜1,刘宇1

(1.中南大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083)

摘要:前期研究发现,SiC颗粒在阴极有利于Ni结晶形核,为此研究了在电位-250~-1050 mV(vs SCE)下,Ni-SiC复合体系电沉积阻抗谱特征,利用扫描电镜(附能谱仪)观察了Ni-SiC体系复合沉积初期的表面形貌.结果表明:Ni-SiC体系Nyquist谱主要表现为一个压扁的容抗半圆,随着电位负移,Ni-SiC沉积的电化学阻抗值基本呈下降趋势.在电位-750~-1050 mV,Nyquist谱低频段还伴随一个感抗弧,Ni-SiC沉积的阻抗显著减小,反映Ni在铜基体上开始电结晶形核/生长;在低过电位(-250~-650 mV)下,Sic颗粒明显降低了Ni-Sic体系Ni沉积还原反应的电荷转移电阻;分析认为:Sic微粒在阴极表面上对镍的中间产物生成起到了活化作用.

关键词:Ni-Sic镀层; 复合镀层; 共沉积; 电化学阻抗谱;

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