硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中可溶性硅
来源期刊:分析试验室1995年第3期
论文作者:陈灵因 赵广超 李蜀萍
关键词:硅钼杂多酸修铈电极;硅酸根;硅;伏安法;黑液;废水分析;
摘 要:本文报导了以玻碳电极为基体的1:12硅钼杂多阴离子薄膜化学修铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在4.0×10 ̄(-3)m0l/L(NH_4)_6MO_7O_(24)-6.8×10 ̄(-2)mol/LNa_3Cit-0.48mol/LNHO_3体系中,硅浓度在8.3×10 ̄(-7)~1.7×10 ̄(-3)mol/L范围内与峰电流呈良好线性关系,检测限为8.0×10 ̄(-7)mol/L。对可溶性硅(以SiO_2计)为245.05mg/L的黑液,稀释10倍后,取2.00mL平行测定9次,RSD为0.58%,加标回收率在97.3%~104.4%间。
陈灵因,赵广超,李蜀萍
摘 要:本文报导了以玻碳电极为基体的1:12硅钼杂多阴离子薄膜化学修铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在4.0×10 ̄(-3)m0l/L(NH_4)_6MO_7O_(24)-6.8×10 ̄(-2)mol/LNa_3Cit-0.48mol/LNHO_3体系中,硅浓度在8.3×10 ̄(-7)~1.7×10 ̄(-3)mol/L范围内与峰电流呈良好线性关系,检测限为8.0×10 ̄(-7)mol/L。对可溶性硅(以SiO_2计)为245.05mg/L的黑液,稀释10倍后,取2.00mL平行测定9次,RSD为0.58%,加标回收率在97.3%~104.4%间。
关键词:硅钼杂多酸修铈电极;硅酸根;硅;伏安法;黑液;废水分析;